3nm finfet 文章 進入3nm finfet技術社區(qū)
小米公司成功流片國內首款3nm手機系統(tǒng)級芯片
- 10月20日消息,據北京衛(wèi)視消息,北京市經濟和信息化局總經濟師唐建國表示,小米公司成功流片國內首款3nm手機系統(tǒng)級芯片。所謂流片,就是像流水線一樣通過一系列工藝步驟制造芯片,簡單來說就是芯片公司將設計好的方案,交給晶圓制造廠,先生產少量樣品,檢測一下設計的芯片能不能用,根據測試結果決定是否要優(yōu)化或大規(guī)模生產。為了測試集成電路設計是否成功,必須進行流片,這也是芯片設計企業(yè)一般都在前期需要投入很大成本的重要原因。此時的小米再次成功流片,距離上次小米澎湃S1發(fā)布,相隔了7年多時間。在2017年,小米澎湃S1正式
- 關鍵字: 小米 3nm 手機SoC
安卓第一款3nm芯片!聯(lián)發(fā)科天璣9400官宣:vivo全球首發(fā)
- 9月24日消息,今天,聯(lián)發(fā)科官方宣布將于10月9日舉行新一代MediaTek天璣旗艦芯片新品發(fā)布會。本次發(fā)布會將發(fā)布天璣9400移動平臺,這將是聯(lián)發(fā)科最強悍的手機芯片,它首次采用臺積電3nm工藝制程,是安卓陣營第一顆3nm芯片。不止于此,天璣9400首發(fā)采用Arm Cortex-X925超大核,這次為了突出CPU升級巨大,Arm專門更改了Cortex-X的命名規(guī)則,對比上代X4,Cortex-X925超大核性能提升36%,AI性能提升41%。GPU方面,天璣9400搭載最新的Mali-G925-Immor
- 關鍵字: 聯(lián)發(fā)科 天璣9400 手機芯片 3nm
拆解:三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝
- 三星最新推出的Galaxy Watch 7,繼續(xù)重新定義可穿戴技術的極限。這款最新型號承襲了其前身產品的成功之處,同時在性能、健康追蹤和用戶體驗方面實現(xiàn)了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實驗室收到了Galaxy Watch系列的最新款,目前正在對其進行拆解和詳細的技術分析。敬請期待我們對Galaxy Watch 7內部結構的深入分析,我們將揭示這款設備在智能手表領域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
- 關鍵字: 三星 Galaxy Watch 7 Exynos W1000 處理器 3nm GAA
三星3nm取得突破性進展!Exynos 2500樣品已達3.20GHz
- 7月14日消息,據媒體報道,三星3nm工藝的Exynos 2500芯片研發(fā)取得顯著進展。Exynos 2500的工程樣品已經實現(xiàn)了3.20GHz的高頻運行,這一頻率不僅超越了此前的預期,而且比蘋果A15 Bionic更省電,效率表現(xiàn)更為出色。此前,有關三星3nm GAA工藝良率過低的擔憂一度影響了市場對Exynos 2500的信心,特別是在Galaxy S25系列手機的穩(wěn)定首發(fā)方面。不過三星在月初的聲明中,對外界關于3nm工藝良率不足20%的傳聞進行了否認,強調其3nm GAA工藝的良率和性能已經穩(wěn)定,產
- 關鍵字: 三星 3nm Exynos 2500 3.20GHz
臺積電試產2nm制程工藝,三星還追的上嗎?
- 據外媒報道,臺積電的2nm制程工藝將開始在新竹科學園區(qū)的寶山晶圓廠風險試產,生產設備已進駐廠區(qū)并安裝完畢,相較市場普遍預期的四季度提前了一個季度。芯片制程工藝的風險試產是為了確保穩(wěn)定的良品率,進而實現(xiàn)大規(guī)模量產,風險試產之后也還需要一段時間才會量產。在近幾個季度的財報分析師電話會議上,臺積電CEO魏哲家是多次提到在按計劃推進2nm制程工藝在2025年大規(guī)模量產。值得一提的是,臺積電在早在去年12月就首次向蘋果展示了其2nm芯片工藝技術,預計蘋果將包下首批的2nm全部產能。臺積電2nm步入GAA時代作為3n
- 關鍵字: 臺積 三星 2nm 3nm 制程
聯(lián)發(fā)科、高通手機旗艦芯片Q4齊發(fā) 臺積電3nm再添大單
- 《科創(chuàng)板日報》8日訊,聯(lián)發(fā)科、高通新一波5G手機旗艦芯片將于第四季推出,兩大廠新芯片都以臺積電3nm制程生產,近期進入投片階段。臺積電再添大單,據了解,其3nm家族制程產能客戶排隊潮已一路排到2026年。在臺積電3nm制程加持之下,天璣9400的各面向性能應當會再提升,成為聯(lián)發(fā)科搶占市場的利器。高通雖尚未公布新一代旗艦芯片驍龍8 Gen 4亮相時間與細節(jié),外界認為,該款芯片也是以臺積電3nm制程生產,并于第四季推出。價格可能比當下的驍龍8 Gen 3高25%~30%,每顆報價來到220美元~240
- 關鍵字: 聯(lián)發(fā)科 高通 芯片 臺積電 3nm
性能暴增3.7倍!三星發(fā)布首款3nm芯片Exynos W1000:主頻1.6GHz
- 7月3日消息,三星今天正式發(fā)布了其首款3nm工藝芯片——Exynos W1000。這款芯片專為可穿戴設備設計,預計將應用于即將推出的Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工藝,搭載了1個Cortex-A78大核心和4個Cortex-A55小核心,其中大核心的主頻達到1.6GHz,小核心主頻為1.5GHz。與前代產品Exynos W930相比,W1000在單核性能上實現(xiàn)了3.4倍的提升,在多核性能上更是達到了3.
- 關鍵字: 三星 3nm 芯片 Exynos W1000 主頻1.6GHz
3nm 晶圓量產缺陷導致 1 萬億韓元損失?三星回應:毫無根據
- IT之家 6 月 27 日消息,三星昨日(6 月 26 日)發(fā)布聲明,否認“三星代工業(yè)務 3nm 晶圓缺陷”的報道,認為這則傳聞“毫無根據”。此前有消息稱三星代工廠在量產第二代 3nm 工藝過程中發(fā)現(xiàn)缺陷,導致 2500 個批次(lots)被報廢,按照 12 英寸晶圓計算,相當于每月 65000 片晶圓,損失超過 1 萬億韓元(IT之家備注:當前約 52.34 億元人民幣)。三星駁斥了這一傳言,稱其“毫無根據”,仍在評估受影響生產線的產品現(xiàn)狀。業(yè)內人士認為,報道中的數(shù)字可能被夸大了,并指出三星的
- 關鍵字: 三星 3nm 晶圓代工
谷歌已經與臺積電達成合作:首款芯片為Tensor G5,選擇3nm工藝制造
- 此前有報道稱,明年谷歌可能會改變策略,在用于Pixel 10系列的Tensor G5上更換代工廠,改用臺積電代工,至少在制造工藝上能與高通和聯(lián)發(fā)科的SoC處于同一水平線。為了更好地進行過渡,谷歌將擴大在中國臺灣地區(qū)的研發(fā)中心。隨后泄露的數(shù)據庫信息表明,谷歌已經開始與臺積電展開合作,將Tensor G5的樣品發(fā)送出去做驗證。據Wccftech報道,谷歌與臺積電已達成了一項協(xié)議,后者將為Pixel系列產品線生產完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾,而Tenso
- 關鍵字: 谷歌 臺積電 Tensor G5 3nm 工藝
曝三星3nm良率僅20%!但仍不放棄Exynos 2500
- 6月23日消息,據媒體報道,Exynos 2500的良品率目前僅為20%,遠低于量產標準,但三星仍在積極尋求解決方案,以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機SoC,該工藝相較于前代4nm FinFET工藝,在能效和密度上預計有20%至30%的提升。然而,低良品率的問題可能導致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺,這將增加成本并可能影響產品定價。三星對Exynos 2500寄予厚望,該芯片在性能測試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
- 關鍵字: 三星 3nm 良率 Exynos 2500
“Intel 3”3nm制程技術已開始量產
- 據外媒報道,英特爾周三表示,其名為“Intel 3”的3nm制程技術已在俄勒岡州和愛爾蘭工廠開始大批量生產,并提供了有關新生產節(jié)點的一些額外細節(jié)。據介紹,新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度,并支持1.2V的超高性能應用電壓。該節(jié)點既針對英特爾自己的產品,也針對代工客戶,將在未來幾年不斷發(fā)展。英特爾一直將Intel 3制造工藝定位于數(shù)據中心應用,這些應用需要通過改進的晶體管(與Intel 4相比)、降低晶體管通孔電阻的電源傳輸電路以及設計協(xié)同優(yōu)化來實現(xiàn)尖端性能。生產節(jié)點支持<0.6V低壓以及&g
- 關鍵字: 英特爾 3nm
3nm finfet介紹
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